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國產自主晶片重大突破!長鑫儲存掌握生產DRAM晶片技術

前言:眾所周知,半導體晶片領域作為我國科研領域的軟肋,可謂是國產自主化的痛點,即便是華為等國內科研企業巨頭仍在晶片及其關鍵零部件上受制於人。最近,我國本土企業長鑫儲存傳來捷報,自研DRAM晶片成功,這實現了我國有自主智慧財產權的DRAM記憶體儲晶片零的突破,為我國建立晶片領域自主化邁出了成功的第一步。

長鑫儲存徽標

長鑫儲存技術(Changxin Memory Technologies,簡稱CXMT,前身為合肥睿力積體電路(Innotron Memory,又稱合肥長鑫))。2016年在安徽省合肥市政府等的支援下成立,是國內三家國家戰略級儲存晶片公司之一,其和福建晉華、長江儲存被合稱為中國製造2025計劃的3大半導體產業國家隊。

DRAM晶片負責臨時儲存資料,其經過不同設計後被廣泛應用在膝上型電腦、智慧手機、資料中心伺服器、聯網汽車等數以億計的智慧裝置上。由於對技術要求比較高,目前全球95%以上的市佔率被韓國三星電子、韓國SK海力士、美國美光科技三家企業所佔據。我國本土企業之前雖也能夠生產可供家電裝置等使用的廉價普通晶片,卻一直未掌握生產DRAM晶片等高階半導體的相關技術。

近年來,合肥長鑫公司為了生產可應用於移動裝置上的DRAM晶片,進行了價值人民幣550億元的資金投資來實現建廠。長鑫今年的資本支出將達10億至15億美元,已超越全球第四大DRAM製造商南亞科技去年的6.5億美元支出。如今資本投資取得回報,據相關報道,我國本土企業長鑫儲存計劃將於年內開始量產動態隨機存取記憶體(DRAM),其有望於今年底至2020年初實現量產。

DRAM晶片

據悉,長鑫儲存的DRAM設計主要基於德國晶片廠商英飛凌旗下DRAM大廠奇夢達(Qimonda,該公司已於2009年破產)技術。但目前世界頂尖半導體廠商生產中仍需用到美國裝置、原料及成套的電子設計自動化工具,很難完全避開。對此長鑫也未能避免,目前該公司仍需使用美國裝置大廠(如Applied Materials、Lam Research 及KLA-Tencor)和電子設計自動化(EDA)工具供應商(如Cadence 及Synopsys)產品來實現生產晶片,也需靠Dow Chemical提供原料。不過長鑫儲存正重新設計自有的DRAM,以使其讓生產過程中使用到的美國技術最小化,避免侵權和成為美國科技界打擊的物件。

現今,長鑫正在合肥斥資80 億美元打造一座DRAM晶片製造廠,預計今年底前投產這些關鍵的儲存體零件,最初每月預計可生產約1萬片晶圓,雖不足全球產量的1%,但對還沒有目前本土還未有自制DRAM晶片的我國來說,成功量產就是邁出了科技自立的一大步。長鑫儲存如若年底成功實現量產,可謂意義重大,將成為我國首家未來有望和三星電子、美光科技和SK海力士三大DRAM鉅子一較高下的本土企業。要知道,去年全球DRAM市場總價值達996.5億美元,然而三星電子(韓國)、SK海力士(韓國)、美光科技(美國)等三大廠卻佔據全球95%產量。

長鑫儲存的大型產業園區

​目前我國已將半導體產業定位為國家重點扶持產業。2018年本土半導體類晶片國內自給率為15%左右,我國目標是到2020年將自給率提高至40%,到2025年提高至70%。

結語:科技自立是中華民族的普遍希望,為了實現半導體國產化的夙願,我國幾代科研工作者展現出毫不鬆懈的態度。然而由於多年來在相關產業鏈上的缺失,以及高階半導體晶片技術難度極高,目前國產自研晶片自給率整體低下,長鑫儲存的自主智慧財產權的DRAM生產能力建設,未來必會成為我國建立自有晶片產業鏈上的關鍵一環。您對未來國內晶片發展自主化的未來有什麼看法,歡迎留言談談您的觀點

Reference:科技日報

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